近日，晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。这一重大技术突破将有力推动碳化硅产业链向更大尺寸、更高效率、更低成本方向演进，为我国在全球宽禁带半导体领域的自主可控与产业升级注入强劲动力。

SiC作为第三代半导体的核心材料，在新能源汽车、5G通信设备、AI数据中心等高压高温应用场景中具有不可替代的优势，而大尺寸外延设备及衬底的成熟制备正是降低成本并推动其大规模商业化应用的关键。从6英寸到8英寸再到如今12英寸SiC外延生长设备的成功研发，晶盛机电不仅完成了设备技术上的连续跨越，而且其子公司浙江晶瑞SuperSiC在6-12英寸碳化硅衬底技术上，也走在行业前列，成为我国在战略性新兴产业竞争中赢得市场先机的强大推动力。

此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产，其独创的垂直分流进气方案，实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术，同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，大幅提升颗粒控制能力和维护效率。

目前，该设备已交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成，其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供，全面实现了国产化协同。外延晶片产品在关键性能指标上表现优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂不均匀性控制在8%以内，2mm×2mm芯片良率大于96%，已达到行业领先水平。

未来，晶盛机电将继续秉持“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”的使命，坚持创新驱动发展，以开放合作的态度，与产业链上下游伙伴协同创新，共同构建自主可控的第三代半导体产业生态体系，为实现高水平科技自立自强、建设制造强国贡献坚实的产业力量。

摘自：晶盛机电微信公众号